半导体探测器的死层

　　半导体探测器入射面上的一个薄层，入射粒子在该层内损失能量，但对形成输出电脉冲信号没有贡献。换言之，半导体探测器的死层使射线的一部分能量白白损失掉。半导体探测器的死层的存在对提高能量分辨率不利（特别是在探测低能粒子时更甚）,所以死层越薄越好。

　　金硅面垒型半导体探测器的死层很薄[一般约为10~20nm(100~200A),比金层略厚];扩散结型半导体探测器的死层比扩散层的厚度稍薄（约为0.1~1um);离子注入型半导体探测器的死层可以做得更薄（0.01~0.03um)。对于大多数应用场合，这样薄的死层对探测粒子造成的影响甚微。但在一些特殊情况下，例如测量重带电粒子时，或在进行高精度的能量测量时，死层的影响不容忽略。

　　半导体探测器的能量分辨率

　　表征半导体探测器对不同能量的射线识别本领的参数。

　　它有两种表示方法：即用单能入射粒子脉冲幅度分布曲线的半高度处的全宽度简称半高宽，用FWHM表示，单位keV)或者用半高宽与峰位能量比值的百分数来表示。影响半导体探测器能量分辨率的主要因素是：射线在灵敏区中产生电子一空穴对数目的统计涨落，探测器的噪声以及俘获效应引起的载流子的损失。死层也有一定的影响。由载流子数目统计涨落引起的脉冲幅度分布的展宽量AEcr是探测器的固有分辨率（或称极限分辨率）,△Ecr=2.35(E•W•F)12,这里的E为入射粒子能量，W为产生一对电子一空穴所需要的平均能量，F为法诺因子，对于锗和硅0<F<0.15。

　　实际测出的总能量分辨率为

　　式中：AEM为探测器以及电子线路的噪声引起的谱线展宽量；△ER为载流子俘获效应引起的谱线展宽量。能量分辨率与射线类型和能量、放射源的优劣及其几何形状、射线入射的立体角、电子系统的噪声、放大器脉冲成形参数以及测试系统的稳定性等因素有关。为了精确地测出探测器本身的能量分辨率（对给定的某种射线）,需要扣除上述这些因素的影响。

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